【應材專家晶片談】晶片縮小的同時，成本卻急遽上升？
應材技術專家Regina Freed分享，
因為先進製程含有許多材料層，
而這些種類不同、尺寸不一的材料層，
最終卻要完好地相互連接，並且要一致地縮小架構，
提高了晶片工藝技術的複雜性。
Q1 沒有達到上述兩個條件會如何？
造成邊緣位置錯誤 (Edge placement errors, EPE)，提高電阻值並降低效能，導致良率下降。
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Q2 有什麼方法可以解決呢？
過去透過各個製程步驟來改善，但應材從材料本質切入解決，還協助客戶減少製程步驟、降低研發成本，並加速進入市場！
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Q3 進行先進製程中會遇到什麼問題嗎？
應材專家提出先進製程會遇到的三大挑戰及解決方案！
1️⃣ 使用四重圖案化技術縮小時，多次的沉積及蝕刻會增加成本和複雜性外，也會劣化特徵尺寸 (critical dimension) 的解析度。
解決方案 👉 方形間隔側牆 (Square Spacers)
2️⃣ 傳統的微影及蝕刻技術不論在水平或是垂直方向，圖形之間的距離均有最小極限。當需求無法滿足時，製造商就被迫增加製程步驟來彌補其不足。
解決方案 👉 橫向蝕刻 (Lateral Etch)
3️⃣ 為了解決邊緣位置錯誤 (EPE)，進行沉積時將面臨兩項挑戰，一為晶圓的潔淨度，二為材料垂直沉積時，也會增加水平的厚度。因為這些挑戰，大部份的選擇性沉積膜必須非常薄。
解決方案 👉 選擇性製程技術 (Selective Processing)
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http://blog.appliedmaterials.com/materials-enabled-patterning
by 應材圖案化技術部門協理Regina
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